Descrição dos produtos
O forno de difusão de oxidação é um equipamento -chave de processo para a produção de células fotovoltaicas. Ele mistura e difunde quantidades de rastreamento de boro, fósforo e outros elementos na bolacha de silício em altas temperaturas para preparar junções PN e compõe circuitos integrados. Também pode ser usado para preparar filmes Siox na superfície da bolacha de silício para proteger as bolachas.
É comum o uso de termopares que medem as partes interna e externa do forno para controlar a temperatura interna do forno de difusão que poderia executar o processo de oxidação. Cada zona de temperatura especificada possui um termopar externo e interno para garantir que os resultados da medida sejam confiáveis. Os termopares internos são usados para medir a temperatura da wafer, geralmente possui 3 ~ 9 pontos de medição, representando a temperatura da wafer com precisão. Os termopares externos são usados para detectar a superfície externa do tubo do forno, cada um geralmente possui apenas um par de fios, para dar uma medição indireta do forno. Geralmente, a temperatura do processo de oxidação é menor que o processo de difusão, portanto, o termopar o multiponto principal do tipo K e N pode ser implantado.
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Parâmetros técnicos |
Termopar multiponto principal |
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Dentro |
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Tipo |
K,N |
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Diâmetro de arame ou imita |
φ2~4 |
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Temperada de trabalho (grau) |
0~950 |
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Precisão (grau) |
± 1,5 ou 0. 4%· t |
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Comprimento do tubo de proteção (mm) |
Menor ou igual a 4000 |
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Diâmetro do tubo de proteção (mm) |
φ14~22 |
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Material de tubo de proteção |
310s ou 321 |
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Estrutura final quente |
Isolado |
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Número de pontos |
3 ~ 9 pontos |
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Rescisão |
Pequeno conector |
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Fio de compensação |
Kx (nx) {{0}} × 0,5fpf |
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Características da estrutura |
Fácil de desmontar, T/C para qualquer ponto pode ser removido, se necessário |
Detalhes do produto



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